हमें कॉल करें now
08045803621
जांच भेजेंà¤à¤à¤à¥à¤¬à¥à¤à¥ à¤à¤° à¤à¤®à¤à¤à¤¸à¤à¤«à¤à¤à¥ à¤à¥ à¤à¤¤à¤¿à¤¶à¥à¤² विशà¥à¤·à¤¤à¤¾à¤à¤
à¤à¤à¤à¥à¤¬à¥à¤à¥ à¤à¤° à¤à¤®à¤à¤à¤¸à¤à¤«à¤à¤à¥ à¤à¥ à¤à¤¤à¤¿à¤¶à¥à¤² विशà¥à¤·à¤¤à¤¾à¤à¤ Specification
- टाइप करें
- मटेरियल
- Silicon (Si) / Silicon Carbide (SiC)
- साइज
- Standard electronic package (varies by rating)
- नमी क्षमता
- Not Applicable (Solid State Devices)
- इनपुट वोल्टेज
- 600V - 1700V (standard range for both IGBT and MOSFET)
- रंग
- Black/Gray (encapsulated body)
- आयाम (एल* डब्ल्यू* एच)
- Dependent on manufacturer and model
- क्षमता
- Depends on device rating (e.g., 20A, 40A, 75A, etc.)
- शोर का स्तर
- Negligible (Silent Operation)
- Device Technology
- IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)
- Thermal Resistance
- Depends on package (typically <1⁰C/W for power modules)
- Conduction Loss (IGBT)
- Moderate (Slight static voltage drop due to bipolar structure)
- Control Voltage (MOSFET)
- 2V to 20V (Gate threshold, logic-level or standard)
- Switching Speed (MOSFET)
- Very High (nanoseconds, typically rise/fall time < 100 ns)
- Turn-off Tail Current (IGBT)
- Present (minor tail current due to minority carriers)
- Control Voltage (IGBT)
- 15V to 20V (Gate activation, ±20V safe limits)
- Switching Speed (IGBT)
- Moderate (microseconds, typical turn-on/turn-off time ~100 ns - 1 μs)
- Switching Losses (IGBT)
- अधिक significant at high frequency due to slower switching
- Switching Losses (MOSFET)
- Low to Moderate at high frequency (depends on capacitance)
- Conduction Loss (MOSFET)
- Low (Ohmic, RDS(on)-dependent)
- Package Types
- TO-220, TO-247, SOT-227, Module, etc.
- Gate Drive Requirements
- MOSFET: Voltage controlled, IGBT: Voltage pulse with support for tail current
- Turn-off Tail Current (MOSFET)
- Negligible (majority carrier device, very fast off)
- Isolation Voltage
- 2.5 kV to 6 kV (Power modules, manufacturer dependent)
- Operating Temperature
- –40°C to +150°C
- Main Application
- IGBT – Medium/High voltage inverters, motor drives. MOSFET – High-speed switching, SMPS, low-voltage drives.
Tell us about your requirement
Price: Â
Quantity
Select Unit
- 50
- 100
- 200
- 250
- 500
- 1000+
Additional detail
मोबाइल number
Email
अधिक Products in नमी Category
TRIAC-DIAC और LDR ट्रेनर का उपयोग करके लाइट एक्टिवेटेड सॉलिड स्टेट रिले
आयाम (एल* डब्ल्यू* एच) : 300mm x 200mm x 75mm (approx.)
साइज : Standard Lab Bench Size
टाइप करें : ,
शोर का स्तर : Silent Operation
क्षमता : Single Experiment Circuit
मटेरियल : Highgrade PCB, acrylic/ABS front panel, electronic components
विवर्तन झंझरी की फैलाव शक्ति और समाधान शक्ति का निर्धारण करने के लिए
आयाम (एल* डब्ल्यू* एच) : 300 mm x 150 mm x 120 mm
साइज : Standard Laboratory Size
टाइप करें : ,
शोर का स्तर : Silent Operation
क्षमता : Single Diffraction Grating Apparatus
मटेरियल : Optical Glass, Metal Fittings
इलेक्ट्रोमैग्नेट ईएमयू -50 और ईएमयू -75
आयाम (एल* डब्ल्यू* एच) : EMU50: 205 x 100 x 95 mm, EMU75: 225 x 110 x 110 mm
साइज : EMU50 & EMU75
टाइप करें : ,
शोर का स्तर : Silent Operation
क्षमता : EMU50: 50 kg, EMU75: 75 kg
मटेरियल : M.S. (Mild Steel)
SCR का उपयोग करके शून्य वोल्टेज स्विचिंग
आयाम (एल* डब्ल्यू* एच) : Approx. 100 mm x 75 mm x 25 mm
साइज : Standard Module
टाइप करें : ,
शोर का स्तर : Silent operation
क्षमता : Up to 1000W load control
मटेरियल : PCB, Electronic Components
GST : 06ADWPC2191D1ZN
मर दुष्यंत चौहान
(मालिक)
मोबाइल : 08045803621
बी नंबर 2557/10, बंगाली मोहल्ला, हरियाणा बेकरी के पास,अम्बाला कैंट - 133001, हरयाणा, भारत
जांच भेजेंQuick Link
इन्फोकॉम नेटवर्क प्राइवेट लिमिटेड . द्वारा विकसित एवं प्रबंधित
English
Spanish
French
German
Italian
Chinese (Simplified)
Japanese
Korean
Arabic
Portuguese